的弟子，野浩解决，这就是着名的两步法。
步骤是，在蓝宝石衬底上先生长一层an缓冲层，再将温度升高生长gan。
由于缓冲层释放了gan和蓝宝石之间的失配应力，这种“两步法”生长技术使得gan的晶体质量显着改善，满足了器件制作的基本要求。
这个方法的发现，差不多历时前后5年，师生两个人接力，才算搞定。
按理，一般的科学研究工作者，进行某项研究的思路，都是踏着前人留下的足迹前进。尤其是没有达到终点之前。
因为改变前人，甚至推翻前饶工作，完全是得不偿失。
例如两步法的发现，就用时差不多四五年时间。换个人来研究，是不是也要准备个几年时间
这怎么选择，不是一目了然嘛
但大侠就是大侠，中村拿到这个论文后，不是继续往下研究，而是放飞自我。
他决定试试在缓冲层中采用gan而非an的方法。
具体思路是在低温生长的非结晶状态的gan膜之上，在高温条件下生长出gan单晶膜。只要这个取得成功，就可以制出与在底板上直接生长单晶gan膜相同的构造。
按照这个思路，中村进行了尝试。
结果嘛，一次成功
这种方法的核心，是采用镣温gan缓冲层500c左右替代了an缓冲层。这一基于低温gan缓冲层的“两步法”工艺，成为日后工业界生长gan基ed的标准工艺。
当然了，做出这步改良的理由，也是异常奇怪。中村给出的解释居然是，别人用过的方法，我不用
这种“二”的话方式，成永兴也用过
不就是强词夺理嘛
谁不会啊
你有种
别人对的方法，你也别用
第四关，退火工艺。
ed从本质上是一个二极管，二极管的核心结构是半导体n结。n结是由n型半导体内部含有大量自由电子和型半导体内部含有大量带正电的自由载流子空穴组成的界面。
对gan而言，n型掺杂比较容易实现，但型掺杂却十分困难。在gan中经常使用的型掺杂剂是zn或者g，但是掺入这些杂质后，gan往往仍体现高阻特性，这意味着型掺杂剂并没有被激活，没有起作用。
这个问题曾困惑了科学界很久，最后也是被野浩解决的。解决方法是用低能电子束辐照方法来获得gan。
这个方法的发现，野浩也是耗时很久。他从86年起就一直在尝试，直到89年，才突然碰运气得到。
在这个步骤上，中村大侠的“二”病再此发作
他再次推翻了前面科学家的研究成果，改为加热
这也就是