就问道：既然大家都知道rf射频功率放大器除了可以使用cmos工艺材料，还有就是gaas工艺，那么，这两种有说明区别，大家知道？
研发总监陈迅回答道：李工，cmos工艺是容易集成，并且，因为cmos工艺的原材料就是硅，而硅的价格便宜，芯片制造工厂的产能是非常稳定…，
gaas是一种化合物半导体，产能及价格波动大，并且，良率是很低，产能也不稳定，
…
李飞期望陈讯对cmos和gaas工艺材料说得更具体一点，但是还是理解得比较简单，而作为一个芯片研发工程师来说，应该是去技术得角度去分析，
李飞点头：说得不错，不过…，李飞边说着，边拿起中性笔，在写字板上写出cmos和gaas工艺材料在芯片技术有什么不同：
cmos工艺材料应用在手机rf射频功率放大器，由于是硅材料的原因，效率只有50%，比不了gaas工艺材料…，
而gaas电子迁移率比硅高6倍，所以电流密度较高，跨导比cmos高很多，适宜于超高速、超高频器件应用。因为gaas有较高的击穿电压…，发射的功率是非常大的…
…
员工们看着李飞在写字板上写出cmos和gaas工艺材料在芯片技术不同…就非常惊讶…，就纷纷疑问道：
“李工，cmos工艺这么没有优势，为什么我们还在对讲机芯片使用cmos工艺？”
李工，如果按照这样的解释，那是不是将来的rf射频功率放大器的工艺材料都是gaas？
…
李飞微笑着，就解释道：“考虑到成本市场和技术，cmos和gaas这两种工艺材料都有发展的前途，因为在目前2g手机制式状况之下，使用cmos工艺的rf射频功率放大器，在手机发射的功率和效率是完全没有问题，”，
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